写真と回路図 2
FET+Tr オーバードライブAMP < OD-FG1 >
電源 9V用ACアダプター
増幅率 36ｄＢ（66倍）
周波数特性 50〜250ＫＨｚ -3dB
入カインピーダンス 470Ｋオーム
出カインピーダンス 1.2Ｋオーム
残留ノイズ 0.5ｍＶ
FETとゲルマニュムＴｒを使用したオーバードライブＡＭＰです。
２段目にゲルマＴｒを使用したことによりゲルマの音を強調しています。
OD-FF1と同様増幅率を45dBとし同じスイッチを使用した為にリレーを使わなければなりませんでしたが、これも後に増幅率を36dBに落としスイッチもミヤマに取り替えました。
低域をもう少し延ばしたい場合は1uFのコンデンサーを3uF位まで増加してください。
写真は回路を手直しする前に撮ったものなので余分な部品が写っています。 (2001/09/10)
1.5Vまたは3V用オーバードライブAMPの製作その 2 ＜ OD−FG3−TB ＞
2段目にゲルマニュウムTr 2SD-187を使用し1.5Vまたは3Vで動作するAMPを製作します。
電源電圧 1.5Vまたは3V
増幅率 54倍 (3V)
周波数特性 45Hz〜55KHz
クリッピング入力電圧 10mV〜100mV VRで可変
入力 Z 470Kohm
出力 Z 410ohm
残留ノイズ 0.03mV
OD-FF3-TBと内容が重複するところが有りますがそのまま説明をします。
上記の回路図は3V用ですが1.5V用も同じです、ただし1.5V用の時はR2を 510ohmに変更してください、R4は変更しなくても大丈夫です。LEDは点灯しませんからこの回路はつけなくても良いでしよう、私は3V用を製作しました。
DIST-VR 200ohmを回すと約12dB増幅度が変化します。
出力トランスはST-25を付けてみました、このトランスが最適ではありませんがこれからも色々のトランスをテストしていきたいと思います。
ゲルマニュウムTrの半田付けに関する注意
ゲルマTrは製造されてから長期間経っていますので足に半田がのりにくくなっています、うまく半田付けが出来なくて何度もやっているうちにTrを壊してしまいます。基板につける前にTrの足を紙ヤスリで良く磨いてください、その時Trにストレスがかからないように足の根元をラジオペンチでしっかりはさんで磨くようにしてください、きれいに磨けたら足に予備半田をしておけば準備完了です。
ゲルマTrの温度特性はどうか?
ゲルマTrの温度特性も一応調べておきます。Tr2は自己バイアス回路でR4によって直流と交流の負帰還がかかっておりhfeや温度が少しくらい変化しても安定した回路です、試しにヘヤードライヤーで暖めてみましたが (加熱すると壊れるかもしれません) 大きな変化はありませんでした。
電圧が下がっても大丈夫か？
このAMPも1.5Vから電圧を下げていったところ1V以下でも動作することが確認できましたから電池一本の1.5Vでも安心して使えます。
他の説明はOD-FF3-TBとほとんど同じなのでそちらを参考にしてください。
(2002/03/20)
FET+シリコンTrオーバードライブAMPの製作その 3 ＜ OD-FS1.5-B >
ゲルマTrの入手が困難になっていますので今回はシリコンTrを使用して1.5Vで動作するものを製作します。
1.5V動作なのでインジケーター用のLEDはつけません。
電源電圧 1.5V
増幅率 60倍
クリッピング出力電圧 500ｍV
テスト用に基板に組みましたが動作の確認をしただけでケースに入れて完成はしていません。
Tr2に2SC-372を使いましたが手持ちがたくさんあるのでこれを使用したまでで、2SCタイプのものであればほとんどのものが使えます、Trによってはベースバイアス抵抗27Kohmの調整が必要になるかもしれません、現在はこの定数で上下非対称のクリッピング波形になっています。
電源電圧が1Vの時でも約26倍増幅しています、この時のクリッピング出力電圧は約300ｍVです、1V以下でも増幅しますがゲインは下がります。（コレクター電圧がベース電圧より高くないと動作しません）
DRIVE-VRの調整でオーバードライブからディストーションまで音の変化が楽しめます、もっと歪ませたい場合はFETやTrをゲインの高いものに変えればよいでしょう、あまりゲインをあげ過ぎると発振する危険がありますので注意してください。
(2002.05.15)
シリコンＴｒでゲルマの音を出す ？
「電子部品に信号を通すとその素子が持つ固有の音が信号に付加されます」 ということはゲルマニュウム ダイオードに信号を通せばゲルマの音がするのではないかと思いこんな回路を思いつきました。
2SC372のコレクター側にゲルマ ダイオード（Ｄ1）を入れました、このダイオードにはバイアスがかかっており導通していますので信号は整流されずにそのまま出力側に現れます。
ダイオードを入れる場所は下図のA,B,C,D,E の場所のいずれかの一箇所あるいは二箇所または三箇所全部でもいいかもしれません。
またＩＣの回路には下図 F のところへ入れれば良いでしょう。
各回路に挿入するダイオードは複数個を直列または並列にしても良いでしょう、またダイオードのカソード側にある100Ｋohmの抵抗値を10Ｋohm位まで変化させても音が変わるかもしれません。
実際に回路に1Ｎ-60を入れて音を出してみました、スイッチでダイオードの有り無しを切り替えてみましたが、私にはその違いが良くわかりませんでした。
(2002.06.16)
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